參數(shù)資料
型號： IRGB4045DPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 792K
代理商： IRGB4045DPBF
IRGB4045DPbF
4
www.irf.com
Fig. 9
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= -40°C
Fig. 7
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 175°C; tp = 80μs
Fig. 10
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 25°C
Fig. 8
- Typ. Diode Forward Characteristics
tp = 80μs
Fig. 12
- Typ. Transfer Characteristics
V
CE
= 50V; tp = 10μs
Fig. 11
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 175°C
0.0
1.0
2.0
3.0
VF (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
IF
-40°C
25°C
175°C
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
VC
ICE = 3.0A
ICE = 6.0A
ICE = 12A
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
VC
ICE = 3.0A
ICE = 6.0A
ICE = 12A
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
VC
ICE = 3.0A
ICE = 6.0A
ICE = 12A
0
2
4
6
8
10
VCE (V)
0
5
10
15
20
IC
Top
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
Bottom
4
6
8
10
12
14
16
VGE, Gate-to-Emitter Voltage (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
IC
TJ = 25°C
TJ = 175°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB4055PBF Advanced Trench IGBT Technology
IRGB4059DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4064DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB440U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A)
IRGB4B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRGB4059DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4060DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4061DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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