參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PSC71KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.83V, @Vge=15V, Ic=60A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.83V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 60A條）
文件頁數(shù)： 4/10頁
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代理商： IRG4PSC71KD
IRG4PSC71UD
4
www.irf.com
Fig. 6
- Maximum IGBT Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
1.0
2.0
3.0
T , Junction Temperature ( C)
V
C
V = 15V
80 us PULSE WIDTH
I = A
120
I = A
60
I = A
30
M
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2
2. Peak J
DM
thJC
C
T
t
)
0
20
40
60
80
100
25
50
T , Case Temperature (°C)
75
100
125
150
A
V = 15V
LIMITED BY PACKAGE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PSC71U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.67V, @Vge=15V, Ic=60A)
IRG4PSH71UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH
IRG4PSH71U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PSH71 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
IRG4PSH71K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PSC71KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PSC71KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PSC71U 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT
IRG4PSC71UD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT
IRG4PSC71UDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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