參數(shù)資料
型號(hào): IRG4PC30WPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述: 絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大小: 259K
代理商: IRG4PC30WPBF
IRG4PC30WPbF
www.irf.com
7
D.U.T.
50V
L
V *
* Driver same type as D.U.T.; Vc = 80% of Vce(max)
* Note: Due to the 50V power supply, pulse width and inductor
will increase to obtain rated Id.
1000V
!#
(+
+
480μF
960V
t=5μs
d(on)
t
t
f
t
r
90%
t
d(off)
10%
90%
10%
5%
V
C
I
C
E
on
E
off
E = (E +E )
(
2#!
50V
Driver*
1000V
D.U.T.
I
C
C
V
L
(
+
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC40UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50FD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
IRG4PC50KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A)
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參數(shù)描述
IRG4PC40 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4PC40F 功能描述:IGBT FAST 600V 49A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4PC40FD 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 49A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4PC40FD-E 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 49.000A COPAK 247 / IGBT : JA / DIS
IRG4PC40FDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube