參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ44VZPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12mヘ , ID = 57A )
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 60V的，的RDS（on）\u003d 12米ヘ，身份證\u003d 57A條）
文件頁(yè)數(shù)： 2/13頁(yè)
文件大?。?/td> 359K
代理商： IRFZ44VZPBF
2
www.irf.com
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
gfs
Forward Transconductance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Min.
60
–––
–––
2.0
25
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.061
–––
9.6
12
–––
4.0
–––
–––
–––
20
–––
250
–––
200
–––
-200
43
65
11
–––
18
–––
14
–––
62
–––
35
–––
38
–––
4.5
–––
V
V/°C
m
V
V
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Internal Drain Inductance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
L
D
nC
ns
Between lead,
nH
6mm (0.25in.)
from package
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1690
270
130
1870
260
510
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
t
on
Forward Turn-On Time
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
57
A
–––
–––
230
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
23
17
1.3
35
26
V
ns
nC
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 48V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 48V
V
GS
= 10V
V
DD
= 30V
I
D
= 34A
R
G
= 12
V
GS
= 10V
T
J
= 25°C, I
S
= 34A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 34A, V
DD
= 30V
di/dt = 100A/μs
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 34A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 34A
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
I
D
= 34A
V
DS
= 48V
Conditions
S
D
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ44VZSPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12mヘ , ID = 57A )
IRFZ48NlPBF HEXFET Power MOSFET
IRFZ48NSPBF HEXFET Power MOSFET
IRFZ48PBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 0.018ヘ , ID = 50A )
IRFZ48RSPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 0.018ヘ , ID = 50A )
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ44VZS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44VZSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 57A 3PIN D2PAK - Bulk
IRFZ44VZSPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 57A 12mOhm 43nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ44VZSTRRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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