參數(shù)資料
型號： IRFZ24N
廠商： International Rectifier
英文描述： N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： N溝道HEXFET功率MOSFET的（不適用溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 123K
代理商： IRFZ24N
IRFZ24N
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
55
–––
–––
0.052 –––
–––
–––
2.0
–––
4.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
4.9
–––
34
–––
19
–––
27
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 10A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 10A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 10A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 28V
I
D
= 10A
R
G
= 24
R
D
= 2.6
,
See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
S
0.07
4.0
–––
25
250
100
-100
20
5.3
7.6
–––
–––
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
370
140
65
–––
–––
–––
pF
nH
μA
nA
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
I
GSS
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
ns
S
D
G
4.5
7.5
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
D
Internal Drain Inductance
–––
–––
Notes:
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
I
SD
≤
10A, di/dt
≤
280A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
V
DD
= 25V, starting T
J
= 25°C, L = 1.0mH
R
G
= 25
, I
AS
= 10A. (See Figure 12)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 10A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 10A
di/dt = 100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
56
120
1.3
83
180
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
A
–––
–––
68
–––
–––
17
S
D
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ24VLPbF HEXFET Power MOSFET
IRFZ24VSPBF HEXFET Power MOSFET
IRFZ24V Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=60mohm, Id=17A)
IRFZ34E N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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IRFZ24NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 17A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
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IRFZ24NLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 17A 70mOhm 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ24NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 17A 70mOhm 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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