參數(shù)資料
型號： IRFW640
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： 200V N-Channel MOSFET
中文描述： 200伏N溝道MOSFET
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 703K
代理商： IRFW640
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, November 2001
I
Package Dimensions
(Continued)
9.90
±
0.20
2.40
±
0.20
4.50
±
0.20
1.27
±
0.10
1.47
±
0.10
(45
°
)
0.80
±
0.10
10.00
±
0.20
2.54 TYP
2.54 TYP
1
±
0
9
±
0
1
±
0
1
±
0
M
M
(
(
(
1.30
+0.10
–
0.05
0.50
+0.10
–
0.05
I
2
-PAK
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFI640 TUBING TEFLON .012 ID 100' CLR
IRFI640B 200V N-Channel MOSFET
IRFW640B 200V N-Channel MOSFET
IRFW720 400V N-Channel MOSFET
IRFI720B 400V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFW640A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB
IRFW640B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET
IRFW640BTM 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
IRFW640BTM_FP001 功能描述:MOSFET 200V N-Ch B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFW644A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
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