參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU3706CPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 265K
代理商： IRFU3706CPBF
IRFR/U3706CPbF
2
www.irf.com
Symbol
I
S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 36A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 36A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 36A, V
R
=20V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 36A, V
R
=20V
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.88
0.82
45
65
49
78
1.3
–––
68
98
74
120
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Parameter
Min.
20
Typ.
–––
Max. Units
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.021 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
0.6
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
6.9
8.1
11.5
–––
–––
–––
–––
–––
9.0
11
23
2.0
20
100
200
-200
V
GS
= 10V, I
D
= 15A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
GS
= 2.8V, I
D
= 7.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
m
V
μA
nA
ns
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
220
28
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Diode Characteristics
75
280
V
SD
Diode Forward Voltage
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Symbol
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
oss
Rg
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Parameter
Min. Typ. Max. Units
53
–––
–––
23
–––
8.0
–––
5.5
–––
16
–––
1.8
–––
6.8
–––
87
–––
17
–––
4.8
–––
2410
–––
1070
–––
140
Conditions
V
DS
= 16V, I
D
= 57A
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Output Gate Charge
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
35 I
D
= 28A
12
nC
8.3
24
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
–––
S
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V, V
DS
= 10V
V
DD
= 10V
I
D
= 28A
R
G
= 1.8
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
= 1.0MHz
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PDF描述
IRFR3707ZCPBF HEXFET Power MOSFET
IRFU3707ZCPBF HEXFET Power MOSFET
IRFR3707ZPBF HEXFET Power MOSFET
IRFU3707ZPBF HEXFET Power MOSFET
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IRFU3707PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU3707Z 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFU3707ZCPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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