參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU130A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 13 A, 100 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： IPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大小： 261K
代理商： IRFU130A
N-C HANNEL
POWER MOSFET
Electrical Characteristics
(T
C
=25
unless otherwise specified)
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coeff.
Gate Threshold Voltage
Gate-Source Leakage , Forward
Gate-Source Leakage , Reverse
Characteristic
Symbol
BV
DSS
BV/ T
J
V
GS(th)
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
Static Drain-Source
On-State Resistance
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain(“Miller”) Charge
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
DS(on)
I
GSS
I
DSS
V
V/
V
nA
A
pF
ns
nC
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
V
GS
=0V,I
D
=250 A
I
D
=250 A
See Fig 7
V
DS
=5V,I
D
=250
V
GS
=20V
V
GS
=-20V
V
DS
=100V
V
DS
=80V,T
C
=125
A
V
GS
=10V,I
D
=6.5A
V
DS
=40V,I
D
=6.5A
V
DD
=50V,I
D
=14A,
R
G
=12
See Fig 13
V
DS
=80V,V
GS
=10V,
I
D
=14A
See Fig 6 & Fig 12
Drain-to-Source Leakage Current
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f =1MHz
See Fig 5
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Continuous Source Current
Pulsed-Source Current
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Characteristic
Symbol
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
--
--
--
--
--
A
V
ns
C
μ
Integral reverse pn-diode
in the MOSFET
T
J
=25
,I
S
=13A,V
GS
=0V
T
J
=25
,I
F
=14A
di
F
/dt=100A/ s
Ο
C
O
4
O
5
Ο
C
μ
Ο
C
O
4
O
4
O
4
O
4
O
1
Ο
C
Ο
C
O
5
O
4
μ
IRFR/U130A
100
--
2.0
--
--
--
--
--
0.11
--
--
--
--
--
150
62
13
14
55
36
27
4.5
12.8
--
--
4.0
100
-100
10
100
0.11
--
790
175
72
40
40
110
80
36
--
--
9.25
610
--
--
--
109
0.41
13
52
1.5
--
--
Notes ;
Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
L=2mH, I
AS
=13A, V
DD
=25V, R
G
=27
I
SD
14A, di/dt
35
0A/ s, V
DD
BV
DSS
, Starting T
J
=25
Pulse Test : Pulse Width = 250 s, Duty Cycle 2%
Essentially Independent of Operating Temperature
O
5
, Starting T
J
=25
<
O
1
O
O
3
O
2
4
o
C
o
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR130 Advanced Power MOSFET
IRFRU130A Advanced Power MOSFET
IRFR210B 200V N-Channel MOSFET
IRFU210B 200V N-Channel MOSFET
IRFRU120A Advanced Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU130ATU 功能描述:MOSFET 100V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU13N15D 功能描述:MOSFET N-CH 150V 14A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU13N15DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 150V 14A I-PAK
IRFU13N20D 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK
IRFU13N20DPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 14A 235mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*