參數(shù)資料
型號： IRFSL59N10D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）最大值\u003d 0.025ohm，身份證\u003d 59A條）
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大小： 138K
代理商： IRFSL59N10D
IRFB/IRFS/IRFSL59N10D
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.11 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
18
–––
–––
76
–––
24
–––
36
–––
16
–––
90
–––
20
–––
12
–––
2450 –––
–––
740
–––
190
–––
3370 –––
–––
390
–––
690
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 35.4A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
114 I
D
= 35.4A
36
nC
54
–––
–––
–––
–––
S
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 50V
I
D
= 35.4A
R
G
= 2.5
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 80V
–––
–––
pF
–––
–––
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
510
35.4
20
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 35.4A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 35.4A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
130
0.75
1.3
200
1.1
V
ns
μC
Diode Characteristics
59
236
A
Min. Typ. Max. Units
100
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
––– 0.025
–––
–––
–––
–––
–––
V
V
GS
= 10V, I
D
= 35.4A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
5.5
25
250
100
-100
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
0.75
–––
62
40
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient
°C/W
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