參數(shù)資料
型號： IRFS640A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Power MOSFET（200V，0.18Ω，9.8A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓200V，導通電阻0.18Ω，漏電流9.8）)
中文描述： 9.8 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 264K
代理商： IRFS640A
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
Fig 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Fig 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
E
AS
=
L
L
I
AS2
-1
2
--------------------
BV
DSS
-- V
DD
BV
V
in
V
out
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
Vary t
to obtain
required peak I
D
10V
V
DD
C
L
L
V
DS
I
D
R
G
t
p
DUT
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
V
DD
( 0.5 rated V
DS
)
10V
V
out
V
in
R
L
DUT
R
G
3mA
V
GS
Current Sampling (I
G
)
Resistor
Current Sampling (I
D
)
Resistor
DUT
V
DS
300nF
50K
200nF
12V
Same Type
as DUT
“ Current Regulator ”
R
1
R
2
IRFS640A
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFS640BT_FP001 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS641 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Improved inductive ruggedness
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