參數(shù)資料
型號(hào): IRFS630B
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): JFETs
英文描述: 200V N-Channel MOSFET
中文描述: 9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 859K
代理商: IRFS630B
Rev. B, December 2002
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
I
Typical Characteristics
(Continued)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
Notes :
(t) = 1.74
/W M ax.
2. D uty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
single pulse
D =0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
(
t
1
, S quare W ave Pulse D uration [sec]
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for IRF630B
t
1
P
DM
t
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
Notes :
1. Z
(t) = 3.33
/W M ax.
2. D uty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
sin gle pu lse
D = 0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
(
t
1
, S quare W ave P ulse D uration [sec]
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for IRFS630B
t
1
P
DM
t
2
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PDF描述
IRF630B 200V N-Channel MOSFET
IRFS634B 250V N-Channel MOSFET
IRF634B 250V N-Channel MOSFET
IRFS640A N-Channel Power MOSFET(200V,0.18Ω,9.8A)(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管(漏源電壓200V,導(dǎo)通電阻0.18Ω,漏電流9.8))
IRFS710A N-Channel Power MOSFET(400V,3.6Ω,1.6A)(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管(漏源電壓400V,導(dǎo)通電阻3.6Ω,漏電流1.6A))
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參數(shù)描述
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IRFS631 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | SOT-186
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IRFS634B 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube