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參數(shù)資料
| 型號： | IRFS624B |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 4.1 A, 250 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 874K |
| 代理商： | IRFS624B |
Rev. A, November 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
I
Typical Characteristics
(Continued)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
※
Notes :
1. Z
(t) = 2.54
℃
/W M ax.
2. D uty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
single pulse
D =0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
(
t
1
, S quare W ave Pulse D uration [sec]
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for IRF624B
t
1
P
DM
t
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
※
Notes :
1. Z
(t) = 3.7
℃
/W M ax.
2. D uty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
single pulse
D =0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
(
t
1
, S quare W ave Pulse D uration [sec]
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for IRFS624B
t
1
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF624 | 250V N-Channel MOSFET |
| IRF624B | 250V N-Channel MOSFET |
| IRFS630A | Advanced Power MOSFET |
| IRFS630B | 200V N-Channel MOSFET |
| IRF630B | 200V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFS624B_FP001 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS625 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2.9A I(D) | TO-220VAR |
| IRFS630 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | SOT-186 |
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| IRFS630B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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