參數(shù)資料
型號： IRFS254
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Power MOSFET（250V，0.14Ω，16A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓250V，導(dǎo)通電阻0.14Ω，漏電流16A）)
中文描述： 16 A, 250 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 243K
代理商： IRFS254
IRFS254
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
S
controlled by Duty Factor D
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS340 N-Channel Power MOSFET（400V，0.55Ω，8A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓400V，導(dǎo)通電阻0.55Ω，漏電流8A）)
IRFS350 N-Channel Power MOSFET（400V，0.3Ω，11.5A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓400V，導(dǎo)通電阻0.3Ω，漏電流11.5A）)
IRFS440 N-Channel Power MOSFET（500V，0.85Ω，6.2A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓500V，導(dǎo)通電阻0.85Ω，漏電流6.2A）)
IRFS610A N-Channel Power MOSFET（200V，1.5Ω，2.5A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓200V，導(dǎo)通電阻1.5Ω，漏電流2.5A）)
IRFS624B 250V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFS254B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
IRFS254B_FP001 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS254BFP001 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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