參數(shù)資料
型號： IRFR3711TRR
廠商： International Rectifier
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 20V的五（巴西）直|已廢除一（d）|對252AA
文件頁數(shù)： 4/10頁
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代理商： IRFR3711TRR
IRFR/U3711
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
V
G
I =
30A
V
= 10V
DS
V
= 16V
DS
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
100000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.8
1.4
2.0
2.6
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
1
10
100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
ID
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU9110 RES 4.75K-OHM 1% 0.25W 100PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA
IRFR9110TRL 150 x 32 pixel format, LED Backlight available
IRFR9110 Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-3.1A)
IRFU9120 Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-5.6A)
IRFR9120 Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-5.6A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFR3711TRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 100A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRFR3711TRRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR3711Z 功能描述:MOSFET N-CH 20V 93A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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