參數(shù)資料
型號(hào)： IRFR21N60L
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開(kāi)關(guān)電源
文件頁(yè)數(shù)： 9/9頁(yè)
文件大小： 163K
代理商： IRFR21N60L
www.irf.com
9
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
4 - DRAIN
NOTES:
- D -
5.30 (.209)
4.70 (.185)
2.50 (.089)
1.50 (.059)
4
3X
0.80 (.031)
0.40 (.016)
2.60 (.102)
2.20 (.087)
3.40 (.133)
3.00 (.118)
3X
0.25 (.010) M
C A S
4.30 (.170)
3.70 (.145)
- C -
2X
5.50 (.217)
4.50 (.177)
5.50 (.217)
0.25 (.010)
1.40 (.056)
1.00 (.039)
3.65 (.143)
3.55 (.140)
D
M
M
B
- A -
15.90 (.626)
15.30 (.602)
- B -
1
2
3
20.30 (.800)
19.70 (.775)
14.80 (.583)
14.20 (.559)
2.40 (.094)
2.00 (.079)
2X
5.45 (.215)
2X
1 DIMENSIONING & TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 CONFORMS TO JEDEC OUTLINE
TO-247-AC.
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Industrial market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information
.
02/03
TO-247AC package is not recommended for Surface Mount Application.
Notes: This part marking information applies to devices produced after 02/26/2001
EXAMPLE:
ASSEMBLED ON WW 35, 2000
IN THE ASSEMBLY LINE "H"
LOT CODE 5657
WITH ASSEMBLY
THIS IS AN IRFPE30
035H
LOGO
INTERNATIONAL
RECTIFIER
IRFPE30
LOT CODE
ASSEMBLY
56 57
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 0 = 2000
WEEK 35
LINE H
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR3303 HEXFET Power MOSFET
IRFU330 HEXFET Power MOSFET
IRFR1111 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.031ohm, Id=33A)
IRFU3303 N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFR3411 HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFR220 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR220,118 功能描述:MOSFET N-CH 200V 4.8A SOT428 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR220_R4941 功能描述:MOSFET TO-252AA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR220119 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFR2209A 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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