型號(hào): | IRFR210B |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 200V N-Channel MOSFET |
中文描述: | 2.7 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | DPAK-3 |
文件頁(yè)數(shù): | 8/9頁(yè) |
文件大?。?/td> | 655K |
代理商: | IRFR210B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFU210B | 200V N-Channel MOSFET |
IRFRU120A | Advanced Power MOSFET |
IRFR120A | Advanced Power MOSFET |
IRFU120A | Advanced Power MOSFET |
IRFRU220A | Advanced Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFR210BTF | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
IRFR210BTF_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFR210BTM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
IRFR210BTM_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFR210BTMFP001 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |