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參數(shù)資料
| 型號： | IRFPC42 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | TO-247AC |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 5.9AI（四）|對247AC |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 107K |
| 代理商： | IRFPC42 |
8
www.irf.com
IRFPC60LC-P
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Industrial market.
Qualification Standards can be found on IR
’
s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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.
04/02
TO-247AC Part Marking Information
TO-247AC Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
4 - DRAIN
NOTES:
- D -
5.30 (.209)
4.70 (.185)
2.50 (.089)
1.50 (.059)
4
3X
0.80 (.031)
0.40 (.016)
2.60 (.102)
2.20 (.087)
3.40 (.133)
3.00 (.118)
3X
0.25 (.010)
M
C
A S
4.30 (.170)
3.70 (.145)
- C -
2X
5.50 (.217)
4.50 (.177)
5.50 (.217)
0.25 (.010)
1.40 (.056)
1.00 (.039)
3.65 (.143)
3.55 (.140)
D
M
M
B
- A -
15.90 (.626)
15.30 (.602)
- B -
1
2
3
20.30 (.800)
19.70 (.775)
14.80 (.583)
14.20 (.559)
2.40 (.094)
2.00 (.079)
2X
5.45 (.215)
2X
1 DIMENSIONING & TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 CONFORMS TO JEDEC OUTLINE
TO-247-AC.
INTERN ATION AL
RECTIFIER
LOGO
ASSEMBLY
LOT COD E
EXAMPLE : THIS IS AN IRFPE30
W ITH ASSEMBLY
LOT COD E 3A1Q
PAR T N UMBER
DATE CODE
(YYW W )
YY = YEA R
W W W EEK
3A1Q 9302
IRFPE30
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFPE32 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | TO-247AC |
| IRFPE42 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.8A I(D) | TO-247AC |
| IRFPE52 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | TO-247AC |
| IRFPF20 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-247AC |
| IRFPF22 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | TO-247AC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFPC42R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | TO-247 |
| IRFPC48 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 8.9A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFPC50 | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFPC50A | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFPC50APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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