型號: | IRFPC40R |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.8A I(D) | TO-247 |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五(巴西)直| 6.8AI(四)|至247 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 46K |
代理商: | IRFPC40R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFPC42R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | TO-247 |
IRF7202 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SO |
IRF7203 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 4.3A I(D) | SO |
IRF720A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-220AB |
IRF720CHIP | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | CHIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFPC42 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
IRFPC42R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | TO-247 |
IRFPC48 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 8.9A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRFPC50 | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFPC50A | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |