參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP27N60K
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)typ.=180mohm, Id=27A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 600V電壓的Rds（on）典型.\u003d 180mohm，身份證\u003d 27A條）
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 91K
代理商： IRFP27N60K
IRFP27N60K
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
30
60
90
120
150
0
2
5
7
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I
=
D
28A
V
= 120V
DS
V
= 300V
DS
V
= 480V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.5
0.8
1.1
1.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 150 C
T = 25 C
10
100
1000
10000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I
Tc = 25
°
C
Tj = 150
°
C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
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PDF描述
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IRFP350 N-CHANNEL POWER MOSFETS
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參數(shù)描述
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