參數(shù)資料
型號： IRFP260
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 46 A, 200 V, 0.055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 122K
代理商： IRFP260
IRFP260N
4
www.irf.com
Forward Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
1
10
100
1000
1
10
100
1000
BY R
DS(on)
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
50
100
150
200
0
4
8
12
16
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I =
28A
V
= 40V
DS
V
= 100V
DS
V
= 160V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
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PDF描述
IRFP260N N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
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IRFP264 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.075ohm, Id=38A)
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參數(shù)描述
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IRFP260PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 46 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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