參數(shù)資料
型號: IRFP254A
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管(漏源電壓為250V,導(dǎo)通電阻為0.14Ω,漏電流為25A))
中文描述: 25 A, 250 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù): 6/7頁
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代理商: IRFP254A
IRFP254A
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
S
controlled by Duty Factor D
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP254 N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管(漏源電壓為250V,導(dǎo)通電阻為0.14Ω,漏電流為25A))
IRFP340A N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管(漏源電壓為400V,導(dǎo)通電阻為0.55Ω,漏電流為11A))
IRFP340B 400V N-Channel MOSFET
IRFP350A Advanced Power MOSFET
IRFP350 N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管(漏源電壓為400V,導(dǎo)通電阻為0.3Ω,漏電流為17A))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP254B 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
IRFP254B_FP001 功能描述:MOSFET 250V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP254BFP001 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
IRFP254N 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 23 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP254NPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 23 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube