參數(shù)資料
型號： IRFP22N50A
廠商： International Rectifier
英文描述： N Channel SMPS MOSFET(N溝道開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
中文描述： ?頻道開關(guān)電源MOSFET的（不適用溝道開關(guān)模式電源馬鞍山場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 103K
代理商： IRFP22N50A
IRFP22N50A
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
9.8A
14A
22A
TOP
BOTTOM
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
570
580
590
600
610
620
630
640
0
4
8
12
16
20
24
A
D
I , Avalanche Current (A)
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP23N50L Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.190ohm, Id=23A)
IRFP240 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=20A)
IRFP240 20A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFP2410 100V,61A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(100V,61A,N溝道 HEXFET功率MOS場效應(yīng)管)
IRFP244 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=15A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP22N50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 22 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP22N60C3PBF 功能描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFP22N60K 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 22 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP22N60KPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 22 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP23N50L 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 23 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*