參數(shù)資料
型號： IRFP150N
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.035W, Id=42A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.035W，身份證\u003d 42A條）
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 261K
代理商： IRFP150N
N-C HANNEL
POWER MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by “R
G
”
I
S
controlled by Duty Factor “D”
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
IRFP150A
相關PDF資料
PDF描述
IRFP150A Advanced Power MOSFET
IRFP240A N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應管（漏源電壓為200V，導通電阻為0.18Ω，漏電流為20A）)
IRFP244A N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應管（漏源電壓為250V，導通電阻為0.28Ω，漏電流為16A）)
IRFP244 N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應管（漏源電壓為250V，導通電阻為0.28Ω，漏電流為16A）)
IRFP250A Advanced Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP150N_R4942 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP150NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
IRFP150NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP150PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 41 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP150PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*