參數(shù)資料
型號： IRFP054V
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=9.0mohm, Id=93A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 60V的，的Rds（on）\u003d 9.0mohm，身份證\u003d 93A條）
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： IRFP054V
IRFP054V
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
C
V
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
0
4
8
12
16
20
V
G
I =
SEE FIGURE
FOR TEST CIRCUIT
13
64A
V
= 12V
DS
V
= 30V
DS
V
= 48V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP054 Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
IRFP064 Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
IRFP22N50A N Channel SMPS MOSFET(N溝道開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
IRFP23N50L Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.190ohm, Id=23A)
IRFP240 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=20A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP054VPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRFP064 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 70 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP064_11 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFP064N 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-247
IRFP064NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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