參數(shù)資料
型號(hào)： IRFI640B
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V N-Channel MOSFET
中文描述： 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 703K
代理商： IRFI640B
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, November 2001
I
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
※
Notes :
1. Z
(t) = 0.9
℃
/W M ax.
2. D uty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
single pulse
D =0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
(
t
1
, S quare W ave P ulse D uration [sec]
25
50
75
100
125
150
0
4
8
12
16
20
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
= 10 V
2. I
D
= 9.0 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFW640B 200V N-Channel MOSFET
IRFW720 400V N-Channel MOSFET
IRFI720B 400V N-Channel MOSFET
IRFW720B 400V N-Channel MOSFET
IRFW730S 400V N-Channel Power MOSFET(漏源電壓為400V的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFI640BTU_FP001 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI640G 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI640GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI644 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=7.9A)
IRFI644A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-262AA
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