參數(shù)資料
型號： IRFD1Z3
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 400 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
文件頁數(shù)： 6/6頁
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代理商： IRFD1Z3
5-6
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 15. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
FIGURE 16. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 17. GATE CHARGE WAVEFORMS
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
0.3
μ
F
12V
BATTERY
50k
V
DS
S
DUT
D
G
I
G(REF)
0
(ISOLATED
SUPPLY)
V
DS
0.2
μ
F
CURRENT
REGULATOR
I
D
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
I
G
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
SAME TYPE
AS DUT
Q
g(TOT)
Q
gd
Q
gs
V
DS
0
V
GS
V
DD
I
G(REF)
0
IRFD1Z0, IRFD1Z1, IRFD1Z2, IRFD1Z3
相關PDF資料
PDF描述
IRFD214 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=0.45A)
IRFD224 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=0.63A)
IRFD310 0.4A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFD310 Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=3.6ohm, Id=0.35A)
IRFD420 Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=0.37A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFD210PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD210R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-250VAR
IRFD211 制造商:HARRIS 制造商全稱:HARRIS 功能描述:0.6A AND 0.45A, 150V AND 200V, 1.5 AND 2.4 OHM, N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFD211R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-250VAR
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