參數(shù)資料
型號(hào)： IRFB59N10
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）最大值\u003d 0.025ohm，身份證\u003d 59A條）
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
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代理商： IRFB59N10
IRFB/IRFS/IRFSL59N10D
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
GS
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
300
600
900
1200
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
TOP
BOTTOM
14.5A
25.0A
35.4A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFB59N10D Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
IRFS59N10D Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
IRFSL59N10D Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
IRFB61N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFB9N60 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
IRFB59N10D 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220
IRFB59N10DHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRFB59N10DPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB61N15D 制造商:International Rectifier 功能描述:60 A, 150 V, 0.032 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRFB61N15DHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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