參數(shù)資料
型號： IRFB13N50A
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.450ohm, Id=14A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds（on）最大值\u003d 0.450ohm，身份證\u003d 14A條）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 97K
代理商： IRFB13N50A
IRFB13N50A
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
100000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
12
24
36
48
60
0
2
5
7
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I
=
D
14A
V
= 100V
DS
V
= 250V
DS
V
= 400V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.5
0.8
1.1
1.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
°
10
100
1000
10000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
Tc = 25
°
C
Tj = 150
°
C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
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PDF描述
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IRFB16N50K 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB16N50KPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB16N60L 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB16N60LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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