參數(shù)資料
型號： IRF9910
廠商： International Rectifier
英文描述： Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box
中文描述： 雙SO - 8的POL轉(zhuǎn)換器MOSFET的臺式機(jī)，服務(wù)器，圖形卡，游戲機(jī)和機(jī)頂盒
文件頁數(shù)： 2/10頁
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代理商： IRF9910
2
www.irf.com
S
D
G
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
20
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1.65
–––
–––
–––
–––
–––
–––
19
27
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ.
–––
0.0061
0.014
10.7
14.6
7.4
9.1
–––
-4.9
-5.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.4
15
2.6
4.3
0.85
1.4
2.5
5.4
1.5
3.9
3.4
6.8
4.0
8.7
6.3
8.3
10
14
9.2
15
4.5
7.5
900
1860
290
600
140
310
Max.
–––
–––
–––
13.4
18.3
9.3
11.3
2.55
–––
–––
1.0
100
100
-100
–––
–––
11
23
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Units
V
V/°C
BV
DSS
Β
V
DSS
/
T
J
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Q1&Q2
Q1
Q2
Q1
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
m
Q2
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Q1&Q2
Q1
Q2
Q1&Q2
Q1&Q2
Q1&Q2
Q1&Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
V
mV/°C
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
nA
gfs
S
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs1
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Q1
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V, I
D
= 8.3A
Q
gs2
Post-Vth Gate-to-Source Charge
nC
Q
gd
Gate-to-Drain Charge
Q2
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V, I
D
= 9.8A
Q
godr
Gate Charge Overdrive
Q
sw
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Q
oss
Output Charge
nC
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
I
D
= 8.3A
ns
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
I
D
= 9.8A
Clamped Inductive Load
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
pF
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
Avalanche Characteristics
Parameter
Q1 Max.
33
8.3
Q2 Max.
26
9.8
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Diode Characteristics
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Parameter
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Min.
–––
Typ.
–––
Max.
2.5
Units
A
I
S
Q1&Q2
I
SM
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
11
16
3.1
4.9
83
98
1.0
1.0
17
24
4.7
7.3
A
V
SD
V
t
rr
Reverse Recovery Time
ns
Q
rr
Reverse Recovery Charge
nC
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 10A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 8.3A
V
GS
= 10V, I
D
= 12A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
Q1
V
DD
= 16V, V
GS
= 4.5V
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 10V, I
D
= 8.3A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
Conditions
Q2
V
DD
= 16V, V
GS
= 4.5V
Q1 T
J
= 25°C, I
F
= 8.3A,
V
DD
= 10V, di/dt = 100A/μs
V
DD
= 10V, di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 8.3A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
S
= 9.8A, V
GS
= 0V
Q2 T
J
= 25°C, I
F
= 9.8A,
–––
V
DS
= 10V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V
Typ.
–––
V
GS
= 4.5V, I
D
= 9.8A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 10V, I
D
= 9.8A
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PDF描述
IRF9952 Power MOSFET(Vdss=+-30V)
IRF9953 Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.25ohm)
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IRF9Z14 Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A)
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IRF9910TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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