參數(shù)資料
型號： IRF7326D2
廠商： International Rectifier
英文描述： FETKY MOSFET / Schottky Diode
中文描述： FETKY MOSFET的/肖特基二極管
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 116K
代理商： IRF7326D2
IRF7326D2
6
www.irf.com
Schottky Diode Characteristics
Fig. 13
- Typical Values of
Reverse Current Vs. Reverse
Voltage
R
R
Fig. 12
- Typical Forward Voltage Drop
Characteristics
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
100°C
75°C
50°C
25°C
125°C
A
T = 150°C
J
Reverse Voltage - V (V)
Fig.14
- Maximum Allowable Ambient
Temp. Vs. Forward Current
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.0
Average Forward Current - I (A)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
A
D = 3/4
D = 1/2
D =1/3
D = 1/4
D = 1/5
V = 80% Rated
R = 62.5°C/W
Square wave
DC
A
0.1
1
10
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
( )
1.0
F
I
T = 150°C
T = 125°C
T = 25°C
Forward Voltage Drop - V
F
(V)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF7326D2TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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IRF7328 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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