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參數資料
| 型號： | IRF6678 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | DirectFET Power MOSFET |
| 中文描述： | DirectFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 256K |
| 代理商： | IRF6678 |
IRF6678
8
www.irf.com
DirectFET
Outline Dimension, MX Outline
(Medium Size Can, X-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
DirectFET
Part Marking
NOTE:
All dimensions are absolute & are
for Application
guidance/referance only.
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
MAX
6.35
5.05
3.95
0.45
0.72
0.72
1.42
0.84
0.42
1.01
2.41
0.70
0.08
0.17
MIN
6.25
4.80
3.85
0.35
0.68
0.68
1.38
0.80
0.38
0.88
2.28
0.59
0.03
0.08
MAX
0.250
0.201
0.156
0.018
0.028
0.028
0.056
0.033
0.017
0.039
0.095
0.028
0.003
0.007
MAX
0.246
0.189
0.152
0.014
0.027
0.027
0.054
0.032
0.015
0.035
0.090
0.023
0.001
0.003
METRIC
DIMENSIONS
IMPERIAL
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| IRF6678PBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET |
| IRF6678TR1 | 功能描述:MOSFET 30V N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6678TR1PBF | 功能描述:MOSFET 30V N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6678TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF6678TRPBF | 功能描述:MOSFET 30V N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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