參數(shù)資料
型號： IRF6612TR1
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： IRF6612TR1
4
www.irf.com
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Maximum Safe Operating Area
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0
10
20
30
40
QG Total Gate Charge (nC)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
VG
VDS= 24V
VDS= 15V
ID= 19A
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
1.00
10.00
100.00
1000.00
IS
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VGS = 0V
0
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
TA = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
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PDF描述
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