參數(shù)資料
型號： IRF6612TR1
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 10/10頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： IRF6612TR1
10
www.irf.com
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6
)#7)*
Starting T
J
= 25°C, L = 0.20mH,
R
G
= 25
, I
AS
= 19A.
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
Surface mounted on 1 in. square Cu board.
Used double sided cooling , mounting pad.
Mounted on minimum footprint full size board with metalized
back and with small clip heatsink.
T
C
measured with thermal couple mounted to top (Drain) of
part.
R
θ
is measured at
%&
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參數(shù)描述
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