參數(shù)資料
型號: IRF6611
廠商: International Rectifier
英文描述: DirectFET Power MOSFET
中文描述: DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 8/9頁
文件大?。?/td> 248K
代理商: IRF6611
IRF6611
8
www.irf.com
DirectFET
Outline Dimension, MX Outline
(Medium Size Can, X-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
DirectFET
Part Marking
MAX
0.246
0.189
0.152
0.014
0.027
0.027
0.054
0.032
0.015
0.035
0.090
0.023
0.001
0.003
MAX
0.250
0.201
0.156
0.018
0.028
0.028
0.056
0.033
0.017
0.039
0.095
0.028
0.003
0.007
MIN
6.25
4.80
3.85
0.35
0.68
0.68
1.38
0.80
0.38
0.88
2.28
0.59
0.03
0.08
MAX
6.35
5.05
3.95
0.45
0.72
0.72
1.42
0.84
0.42
1.01
2.41
0.70
0.08
0.17
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
DIMENSIONS
METRIC
IMPERIAL
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PDF描述
IRF6612 HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRF6611PBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET
IRF6611TR1 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6611TR1 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor Power Dissipation:2.8W
IRF6611TR1PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6611TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET