參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6608
廠商： International Rectifier
英文描述： lHEXFET Power MOSFET
中文描述： lHEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 178K
代理商： IRF6608
www.irf.com
5
Fig 13c.
Maximum Avalanche Energy Vs. Drain Current
Fig 14a.
Switching Time Test Circuit
Fig 14b.
Switching Time Waveforms
V
GS
V
DS
90%
10%
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
V
GS
Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
V
DD
V
DS
L
D
D.U.T
+
-
Fig 13b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 13a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
Fig 12.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 15.
Gate Charge Test Circuit
Fig 16.
Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
25
50
75
100
125
150
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
40
80
120
160
200
240
EA
ID
TOP
3.3A
3.8A
BOTTOM
8.8A
3
4
5
6
7
8
9
10
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
RD
)
ID = 12A
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