參數(shù)資料
型號： IRF6608
廠商： International Rectifier
英文描述： lHEXFET Power MOSFET
中文描述： lHEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 178K
代理商： IRF6608
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance vs. Temperature
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
RD
ID = 12A
VGS = 10V
0.1
1.0
10.0
100.0
1
10
100
ID
30μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
2.7V
VGS
10V
7.0V
4.5V
3.8V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
TOP
BOTTOM
0.1
1.0
10.0
100.0
1
10
100
ID
30μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
2.7V
VGS
10V
7.0V
4.5V
3.8V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
TOP
BOTTOM
2.5
2.8
3.0
3.3
3.5
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1.0
10.0
100.0
ID
(
)
VDS = 20V
30μs PULSE WIDTH
TJ = 25°C
TJ = 150°C
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
10
20
30
40
QG Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
VG
VDS= 24V
VDS= 15V
ID= 8.8A
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