參數(shù)資料
型號： IRF630B
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V N-Channel MOSFET
中文描述： 9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大小： 859K
代理商： IRF630B
Rev. B, December 2002
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
I
Package Dimensions
(Continued)
Dimensions in Millimeters
(7.00)
(0.70)
MAX1.47
(30
°
)
#1
3
±
0
1
±
0
1
±
0
6
±
0
9
±
0
4
±
0
10.16
±
0.20
(1.00x45
°
)
2.54
±
0.20
0.80
±
0.10
9.40
±
0.20
2.76
±
0.20
0.35
±
0.10
3.18
±
0.10
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
0.50
+0.10
–
0.05
TO-220F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS634B 250V N-Channel MOSFET
IRF634B 250V N-Channel MOSFET
IRFS640A N-Channel Power MOSFET（200V，0.18Ω，9.8A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓200V，導通電阻0.18Ω，漏電流9.8）)
IRFS710A N-Channel Power MOSFET（400V，3.6Ω，1.6A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓400V，導通電阻3.6Ω，漏電流1.6A）)
IRFS730A N-Channel Power MOSFET（400V，1.0Ω，3.9A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓400V，導通電阻1.0Ω，漏電流3.9A）)
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參數(shù)描述
IRF630B_FP001 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF630BTSTU 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
IRF630BTSTU_FP001 功能描述:MOSFET 200V N-CHAN Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF630F 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:N-channel mosfet transistor
IRF630FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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