- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379233 > IRF533 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) RES 51.1K-OHM 1% 0.125W 100PPM THICK-FILM SMD-0805 5K/REEL-7IN-PA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRF533 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | RES 51.1K-OHM 1% 0.125W 100PPM THICK-FILM SMD-0805 5K/REEL-7IN-PA |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 180K |
| 代理商： | IRF533 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF531 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF532 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF531 | N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated |
| IRF531R | N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated |
| IRF532 | N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF533FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
| IRF533R | 制造商:HARRIS 制造商全稱:HARRIS 功能描述:N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated |
| IRF540 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 28 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF-540 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF540,127 | 功能描述:MOSFET RAIL IR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。