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參數(shù)資料
| 型號： | IPS512G |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
| 中文描述： | 充分保護(hù)高壓側(cè)功率MOSFET開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 2/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 182K |
| 代理商： | IPS512G |
IPS511G/IPS512G
2
www.irf.com
(1) Limited by junction temperature (pulsed current limited also by internal wiring)
Symbol Parameter
Rth1
Thermal resistance with standard footprint
Rth2
Thermal resistance with 1" square footprint
Rth1
Thermal resistance with standard footprint
(2 mos on)
(2 mosfets on)
Rth2 (1)
Thermal resistance with standard footprint
(1 mos on)
(1 mosfet on)
Rth2
Thermal resistance with 1" square footprint
(2 mos on)
(2 mosfets on)
Min.
—
—
Typ.
Max. Units Test Conditions
—
85
—
—
100
—
—
—
Thermal Characteristics
8 Lead SOIC
16 Lead SOIC
o
C/W
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage parameters
are referenced to GROUND lead. (Tj = 25
C unless otherwise specified).
Symbol Parameter
Vout
Maximum output voltage
Voffset
Maximum logic ground to load ground offset Vcc-50
Vin
Maximum Input voltage
Iin, max
Maximum IN current
Vdg
Maximum diagnostic output voltage
Idg, max
Maximum diagnostic output current
Isd
cont.
(IPS511G)
Min.
Vcc-50
Max.
Vcc+0.3
Vcc+0.3
5.5
Units
Test Conditions
-0.3
-5
10
mA
-0.3
5.5
V
-1
10
mA
Diode max. continuous current
(1)
—
1.4
(per leg/both legs ON - IPS512G)
Isd
pulsed
Diode max. pulsed current
(1)
ESD1
Electrostatic discharge voltage
(Human Body)
—
0.8
—
10
—
4000
C=100pF, R=1500
,
C=200pF, R=0
,
L=10
μ
H
ESD2
Electrostatic discharge voltage
(Machine Model)
—
500
Pd
Maximum power dissipation
(rth=125
o
C/W) IPS511G
(rth=85
o
C/W, both legs on) IPS512G
—
1
—
1.5
Tj max.
Vvv max
Max. storage & operating junction temp.
-40
+150
Maximum Vcc voltage
—
50
V
V
A
V
o
C
W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS511 | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
| IPS511S | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
| IPS5551T | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
| IPU05N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IQ82C55A | CMOS Programmable Peripheral Interface |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IPS512GTR | 制造商:International Rectifier 功能描述:PWR SWIT HI SIDE 1A 16SOIC N - Tape and Reel |
| IPS521 | 功能描述:IC MOSFET HS PWR SW 5A TO-220 RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐，1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA，410mA 電流 - 峰值輸出:500mA，1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR) |
| IPS521F | 功能描述:IC MOSFET HS PWR SW 5A TO-220-5 RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐，1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA，410mA 電流 - 峰值輸出:500mA，1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR) |
| IPS521G | 功能描述:功率驅(qū)動器IC IPS 1 Ch Low Side Driver RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| IPS521GPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IC MOSFET SMART SWITCH SO-8 |
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