參數(shù)資料
型號： IPS10N03LA
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS2 Power-Transistor
中文描述： OptiMOS2功率晶體管
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 412K
代理商： IPS10N03LA
IPD10N03LA IPF10N03LA
IPS10N03LA IPU10N03LA
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
g
fs
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
T
j
3 V
3.2 V
3.5 V
3.8 V
4.1 V
4.5 V
10 V
0
10
20
30
40
0
10
20
30
40
50
I
D
[A]
R
D
]
25 °C
175 °C
0
20
40
60
0
1
2
3
4
5
V
GS
[V]
I
D
0
10
20
30
40
50
60
0
10
20
30
40
50
60
I
D
[A]
g
f
2.8 V
3 V
3.2 V
3.5 V
3.8 V
4.1 V
4.5 V
10 V
0
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.3
page 5
2004-05-19
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPU10N03LA OptiMOS2 Power-Transistor
IPDH4N03LA OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR
IPDH4N03LAG OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR
IPDH4N03LA-G OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR
IPM6210A Micropower 5V, 100mA Low Dropout Linear Regulator
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPS10N03LA G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPS10N03LAG 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPS10N03LAGXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-251
IPS1-102-01-FM-D-RA 制造商:Samtec Inc 功能描述:.100 DOUBLE ROW SHROUDED SOCKET - Bulk
IPS1-102-01-H-D 制造商:Samtec Inc 功能描述:.100 DOUBLE ROW SHROUDED SOCKET - Bulk
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