參數(shù)資料
型號： IPS032G
廠商： International Rectifier
英文描述： SINGLE/DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
中文描述： 單/雙充分保護功率MOSFET開關
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： IPS032G
IPS031G/IPS032G
10
www.irf.com
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100 125
150
Treset
rise time
fall time
Figure 19 - Turn-on, Turn-off, and Treset
Vs Tj (
o
C)
01-6027
01-0021 11
(MS-012AA)
8-Lead SOIC
8
7
5
6
5
D
B
E
A
e
6X
H
0.25 [.010]
A
6
4
3
1
2
4. OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE MS-012AA.
NOTES:
1. DIMENSIONING & TOLERANCING PER ASME Y14.5M-1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER
3. DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS [INCHES].
7
K x 45
°
8X L
8X c
y
FOOTPRINT
8X 0.72 [.028]
6.46 [.255]
3X 1.27 [.050]
8X 1.78 [.070]
5 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.15 [.006].
6 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 [.010].
7 DIMENSION IS THE LENGTH OF LEAD FOR SOLDERING TO
A SUBSTRATE.
0.25 [.010]
C A B
e1
A
A1
8X b
C
0.10 [.004]
e 1
H
K
L
D
E
e
y
b
c
A
A1
.189
.1497
.050 BASIC
.025 BASIC
0
°
.013
.0075
.0532
.0040
.2284
.0099
.016
.1968
.1574
8
°
.020
.0098
.0688
.0098
.2440
.0196
.050
4.80
3.80
1.27 BASIC
0.635 BASIC
0.33
0.19
1.35
0.10
5.80
0.25
0.40
0
°
5.00
4.00
0.51
0.25
1.75
0.25
6.20
0.50
1.27
8
°
MIN
MAX
MILLIMETERS
MIN
INCHES
MAX
DIM
Case Outlines
相關PDF資料
PDF描述
IPS031S FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
IPS031 FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
IPS03N03LA Ideal for high-frequency dc/dc converters Qualified according to JEDEC for target applications
IPS042G DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
IPS05N03LA RESISTOR CER 7.5K OHM 5W RADIAL
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IPS03N03LAG 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPS03N03LAGXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-251
IPS03N03LB G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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