參數(shù)資料
型號： IPI35CN10NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/13頁
文件大?。?/td> 707K
代理商： IPI35CN10NG
IPB35CN10N G IPD33CN10N G
IPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
-
-
2.6
K/W
R
thJA
minimal footprint
-
-
62
6 cm2 cooling area
4)
-
-
40
minimal footprint
-
-
75
6 cm2 cooling area
4)
-
-
50
Electrical characteristics,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=1 mA
100
-
-
V
Gate threshold voltage
V
GS(th)
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=29 μA
2
3
4
Zero gate voltage drain current
I
DSS
V
DS
=80 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
-
0.1
1
μA
V
DS
=80 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
-
10
100
Gate-source leakage current
I
GSS
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
-
1
100
nA
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
V
GS
=10 V,
I
D
=27 A,
(TO252)
-
25
33
m
V
GS
=10 V,
I
D
=27 A,
(TO251)
-
25
33
V
GS
=10 V,
I
D
=27 A,
(TO263)
-
25
35
V
GS
=10 V,
I
D
=27 A,
(TO220, TO262)
-
26
35
Gate resistance
R
G
-
1
-
Transconductance
g
fs
|
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
,
I
D
=27 A
15
30
-
S
Values
4)
Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm
2
(one layer, 70 μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
Thermal resistance, junction -
ambient (TO220, TO262, TO263)
Thermal resistance, junction -
ambient (TO251, TO252)
Rev.1.02
page 2
2006-06-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB60R099CP CoolMOS Power Transistor
IPB60R165CP CoolMOS Power Transistor
IPB60R199CP CoolMOS Power Transistor
IPB77N06S3-09 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB80CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPI35CN10NGAKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IPI45N04S4L-08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPI45N06S3-16 功能描述:MOSFET N-CH 55V 45A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPI45N06S316XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IPI45N06S3L-13 功能描述:MOSFET N-CH 55V 45A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*