參數(shù)資料
型號(hào)： IPD05N03LA
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS 2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS 2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 10/11頁(yè)
文件大小： 434K
代理商： IPD05N03LA
IPD05N03LA IPF05N03LA
IPS05N03LA IPU05N03LA
Package Outline
P-TO251-3-11: Outline
P-TO251-3-21: Outline
Dimensions in inch [mm]
Rev. 1.7
page 10
2004-05-19
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPD05N03LB OptiMOS2 Power-Transistor
IPS511G FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH
IPS512G FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH
IPS511 FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH
IPS511S FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPD05N03LA G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPD05N03LAG 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPD05N03LAGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD05N03LB 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS2 Power-Transistor
IPD05N03LB G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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