參數(shù)資料
型號(hào)： IPD04N03LBG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 427K
代理商： IPD04N03LBG
IPD04N03LB G IPS04N03LB G
IPU04N03LB G IPF04N03LB G
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=50 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
70 μA
700 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25 °C, 98%
175 °C, 98%
1
10
100
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
SD
[V]
I
F
Rev. 1.5
page 6
2006-05-11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPF04N03LBG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD05N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPF05N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD06N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPF06N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IPD050N03L 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
IPD050N03L G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A 5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPD050N03L_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast switching MOSFET for SMPS Optimized technology for DC/DC converters
IPD050N03LG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 50A OptiMOS3 TO252
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