參數(shù)資料
型號(hào)： IPB80N04S2-H4
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
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代理商： IPB80N04S2-H4
IPB80N04S2-H4
IPP80N04S2-H4, IPI80N04S2-H4
Parameter
Symbol
Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
2)
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
-
-
0.5
K/W
Thermal resistance, junction -
ambient, leaded
R
thJA
-
-
62
SMD version, device on PCB
R
thJA
minimal footprint
-
-
62
6 cm
2
cooling area
5)
-
-
40
Electrical characteristics,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1 mA
40
-
-
V
Gate threshold voltage
V
GS(th)
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=250 μA
2.1
3.0
4.0
Zero gate voltage drain current
I
DSS
V
DS
=40 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
-
0.01
1
μA
V
DS
=40 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
2)
-
1
100
Gate-source leakage current
I
GSS
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
-
1
100
nA
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A,
-
3.5
4.0
m
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A,
SMD version
-
3.2
3.7
Values
Rev. 1.0
page 2
2006-03-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPBH6N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD03N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD04N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPF04N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD04N03LBG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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