參數(shù)資料
型號： IPB77N06S3-09
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢-T Power-Transistor
中文描述： ㈢的OptiMOS - T的功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 165K
代理商： IPB77N06S3-09
IPB77N06S3-09
IPI77N06S3-09, IPP77N06S3-09
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
2)
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
-
-
1.4
K/W
Thermal resistance, junction -
ambient, leaded
R
thJA
-
-
62
SMD version, device on PCB
R
thJA
minimal footprint
-
-
62
6 cm
2
cooling area
5)
-
-
40
Electrical characteristics,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 μA
55
-
-
V
Gate threshold voltage
V
GS(th)
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=55 μA
2.1
3
4
Zero gate voltage drain current
I
DSS
V
DS
=25 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
-
0.1
1
μA
V
DS
=25 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
1)
-
1
100
Gate-source leakage current
I
GSS
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
-
1
100
nA
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
V
GS
=10 V,
I
D
=39 A
-
7.7
9.1
m
V
GS
=10 V,
I
D
=39 A,
SMD version
-
7.4
8.8
Values
Rev. 0.9
page 2
2005-09-16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPB80CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD78CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB80N04S2-04 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB80N04S2-H4 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPBH6N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB77N06S3-09_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPB77N06S309T 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:GREEN
IPB77N06S309XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 77A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB79CN10N G 功能描述:MOSFET N-CH 100 V 79 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB79CN10NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) TO-263
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