參數(shù)資料
型號： IPB60R199CP
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： CoolMOS Power Transistor
中文描述： 的CoolMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 347K
代理商： IPB60R199CP
IPB60R199CP
9 Typ. gate charge
10 Forward characteristics of reverse diode
V
GS
=f(
Q
gate
);
I
D
=9.9 A pulsed
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
V
DD
parameter:
T
j
11 Avalanche energy
12 Drain-source breakdown voltage
E
AS
=f(
T
j
);
I
D
=6.6 A;
V
DD
=50 V
V
BR(DSS)
=f(
T
j
);
I
D
=0.25 mA
25 °C
150 °C
25 °C, 98%
150 °C, 98%
10
2
10
1
10
0
10
-1
0
0.5
1
1.5
2
V
SD
[V]
I
F
120 V
400 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
Q
gate
[nC]
V
G
540
580
620
660
700
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
0
100
200
300
400
500
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
E
A
Rev. 2.0
page 6
2006-06-19
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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