參數(shù)資料
型號(hào)： IPB35CN10NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 9/13頁(yè)
文件大?。?/td> 707K
代理商： IPB35CN10NG
IPB35CN10N G IPD33CN10N G
IPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N G
Rev.1.02
page 9
2006-06-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPD33CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI35CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB60R099CP CoolMOS Power Transistor
IPB60R165CP CoolMOS Power Transistor
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參數(shù)描述
IPB35N10S3L-26 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB35N10S3L26ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel
IPB45N04S4L-08 功能描述:MOSFET N-Channel 40V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB45N04S4L08ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
IPB45N06S3-16 功能描述:MOSFET N-CH 55V 45A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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