型號(hào): | IPB35CN10NG |
廠商: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
英文描述: | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
中文描述: | 的OptiMOS㈢2功率晶體管 |
文件頁(yè)數(shù): | 5/13頁(yè) |
文件大小: | 707K |
代理商: | IPB35CN10NG |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IPD33CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IPB35N10S3L26ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel |
IPB45N04S4L-08 | 功能描述:MOSFET N-Channel 40V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IPB45N04S4L08ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2 |
IPB45N06S3-16 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 45A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |