- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377343 > IDT71V3559SA85BQ (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V3559SA85BQ |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| 中文描述： | 256K X 18 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 27/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 996K |
| 代理商： | IDT71V3559SA85BQ |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁當前第27頁第28頁
6.42
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of
OE
Operation
(1)
27
NOTE:
1. A read operation is assumed to be in progress.
Ordering Information
OE
DATA Out
t
OHZ
t
OLZ
t
OE
Q
5282 drw 11
Q
,
100-Pin Plastic Thin Quad Flatpack (TQFP)
119 Ball Grid Array (BGA)
165 Fine Pitch Ball Grid Array (fBGA)
Power
XX
Speed
XX
Package
PF**
BG
BQ
IDT
XXXX
75*
80
85
Access time (t
CD
) in tenths of nanoseconds
5282 drw 12
Device
Type
IDT71V3557
IDT71V3559
128Kx36 Flow-Through ZBT SRAM with 3.3V I/O
256Kx18 Flow-Through ZBT SRAM with 3.3V I/O
,
X
Process/
Temperature
Range
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
Blank
I
*Commercial temperature range only.
** JTAG (SA version) is not available with 100-pin TQFP package
XX
S
SA
Standard Power
Standard Power with JTAG Interface
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3557S75BQ | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| IDT71V3557S75BQI | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| IDT71V3557S75PF | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| IDT71V3557S75PFI | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| IDT71V3557S80BG | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V3559SA85BQ8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3559SA85BQG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3559SA85BQG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3559SA85BQGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3559SA85BQGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。